受其缺陷薄膜質(zhì)量的限制，二維 Dion-Jacobson (DJ) 鈣鈦礦太陽(yáng)能電池通常表現(xiàn)出較差的器件性能。剛性二銨有機(jī)層間間隔物不能容忍晶格失配，這會(huì)導(dǎo)致缺陷和畸變并最終降低光電性能。上?？萍即髮W(xué)Gang Chen等人在甲脒(FA)基低維鈣鈦礦中引入了二次層間間隔物，并顯著提高了薄膜質(zhì)量。

　　靈活的單價(jià)間隔陽(yáng)離子有效地減輕了晶格畸變并減少了晶體缺陷，為鈣鈦礦薄膜提供了理想的微觀形態(tài)、更好的晶體取向、減少的缺陷狀態(tài)和提高的電荷傳輸能力。

　　因此，基于 (PDA0.9PA0.2)(FA)3Pb4I13(PDA = 丙烷-1,3-二銨，PA = 丙基銨)薄膜的優(yōu)化鈣鈦礦太陽(yáng)能電池 (PSC) 表現(xiàn)出 16.0 %，是同類(lèi)結(jié)構(gòu)中最高的報(bào)告值。

　　此外，該器件還表現(xiàn)出增強(qiáng)的熱穩(wěn)定性，在85°C下老化800小時(shí)后仍保持其初始效率的90%。